COC：高端光刻胶不可或缺树脂（图）
2026-03-09
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来源：[互联网]
[中化新网 2026-03-06]
半导体光刻胶按波长分为：g/i线（365/436nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF浸没式、EUV（13.5nm）。波长越短，解析度越高，难度也呈指数上升。
KrF光刻胶：国产化率冲至35%
ArF光刻胶：高度依赖进口，国产化率很低。
EUV光刻胶：国产化率基本为0，完全依赖进口
光刻㬵主要由四⼤组分构成：树脂、光引发剂、溶剂和添加剂，树脂是光刻胶的主体，占成本约 40%-50%。它决定了成膜性能、分辨率、抗刻蚀性等关键指标。
光刻胶树脂就像‘纳米级的积木’，所有精密的显示器和芯片，都由极其细微的像素和电路组成。这种‘积木’的分子结构，决定了它的精度、灵敏度和硬度，最终影响屏幕的清晰度与芯片的性能。
高端光刻胶树脂尤其是 ArF、EUV 级要求精确控制分子量分布和金属离子含量，制备过程涉及高分子聚合、精馏与多级纯化。
COC（环烯烃共聚物）低吸光、高耐热、高纯度、低双折射，完美匹配先进制程，特别是 EUV/ArF对分辨率、线宽粗糙度（LWR）、图形保真度的严苛要求。
传统树脂无法满足光学与纯度要求，COC作为树脂在先进制程EUV/ArF中不可或缺。